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I D25
PolarHT TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
IXFH 100N25P
V DSS = 250 V
= 100 A
R DS(on) ≤ 27 m Ω
t rr ≤ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 (IXFH)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
250
250
V
V
V GS
V GSM
I D25
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
± 20
± 30
100
V
V
A
G
D
S
(TAB)
I D(RMS)
External lead current limit
75
A
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
250
60
60
2.0
10
A
A
mJ
J
V/ns
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 Ω
P D
T C = 25 ° C
600
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
Features
Fast Intrinsic Diode
International standard packages
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
M d
Weight
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
5.5
g
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
250
V
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
2.5
5.0
± 100
25
500
V
nA
μ A
μ A
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
27
m Ω
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99344E(03/06)
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